| Kapasitas | 1.025 TB | 512 GB | 256GB |
| Koleksi Produk | Memori Intel® Optane™ H10 dengan Penyimpanan Solid State |
| Kondisi Penggunaan | PC/Client/Tablet |
| Baca Berurutan (hingga) | 1TB : 2400 MB/s 512GB : 2300 MB/s 256GB : 1450 MB/s |
| Tulis Berurutan (hingga) | 1TB : 1800 MB/s 512GB : 1300 MB/s 256GB : 650 MB/s |
| Baca Acak (8 GB Span) (hingga) | 1TB : 330000 IOPS 512GB : 320000 IOPS 256GB : 230000 IOPS |
| Tulis Acak (8 GB Span) (hingga) | 1TB : 250000 IOPS 512GB : 250000 IOPS 256GB : 150000 IOPS |
| Latensi - Baca | 7 µs |
| Latensi - Tulis | 18 µs |
| Daya - Aktif | 5.8W |
| Daya - Siaga | L1.2 : <13mW |
| Reliability | |
| Suhu Operasi (Maksimum) | 70 °C |
| Suhu Operasi (Minimum) | 0 °C |
| Vibrasi - Operasi | 2.17 GRMS (5-700 Hz) Max |
| Getar - Non-Operasi | 3.13 GRMS (5-800 Hz) Max |
| Kejutan Listrik (Operasi dan Non-Operasi) | 1000 G / 0.5 ms and 1500 G / 0.5 ms |
| Rentang Suhu Operasi | 0°C to 70°C |
| Peringkat Daya Tahan (Tulis Seumur Hidup) | 1TB : 300 TBW 512GB : 150 TBW 256GB : 75TBW |
| Waktu Rata-rata Antara Kegagalan | 1.6 Million Hours |
| Rata-rata Bit Error Tidak Terkoreksi | < 1 sector per 10^15 bits read |
| Keterangan | Introducing the new Intel® Optane™ Memory H10 with Solid State Storage which combines two breakthrough technologies, Low-latency Intel® Optane™ technology and high-density Intel® QLC 3D NAND in a single M.2 2280 form factor. |
| Package Specifications | |
| Berat | Less than 10 grams |
| Bentuk dan Ukuran | M.2 22 x 80mm |
| Antarmuka | PCIe 3.0 x4, NVMe |
| Perlindungan Data Lanjutan Saat Daya Terputus | Ya |
| Pemantauan dan Pencatatan Suhu | Ya |
| Perlindungan Data Ujung-ke-Ujung | Ya |
| Intel® Rapid Start Technology | Ya |
